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础鲍靶溅射成膜装置惭厂笔-尘颈苍颈介绍

采用反应射频磁控溅射法制备Au复合薄膜,并对使用Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响.结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au元素的含量偏高,薄膜表面有团聚生长的Au晶粒,而采用分步溅射法可以使复合薄膜中Au元素的摩尔百分比下降到7.30％.采用分步溅射制备复合薄膜时,较高的衬底温度有助于MgO晶粒的生长,当衬底温度为500℃,通入Ar气和O2气的流量分别为25和5mL/min时,MgO晶粒尺寸达到了30～40 nm;MO薄膜主要呈现出了(111)、(200)和(220)三种结晶取向,较高的Ar/O2气体流量比有利于(200)晶向的形成,而较低的Ar/O2气体流量比有利于(220)晶向的形成。

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