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通常，电阻（电阻）用于评估物质或材料的电导率（导电性）。我认为下面的&翱尘别驳补;（翱丑尘）是电阻的评估标准（许多人在&濒诲辩耻辞;欧姆定律&谤诲辩耻辞;中都记得它）。

电阻冲（电阻）=&翱尘别驳补;摆读数：欧姆闭

&谤础谤谤;表示电流难易度的单位

R = V / I　* V =电压，I =电流

由数字万用表（绝缘电阻表）测量的绝缘电阻也通常以&翱尘别驳补;单位表示。

电阻单位还根据物质或材料的形状而适当地使用，并且根据测量目标而主要使用，因为存在针对每个行业的工业标准（例如，闯滨厂）的电阻单位。对于电阻的表示法是不同的。

除了电阻摆&翱尘别驳补;闭，我们的电阻测量系统还支持以下两种类型的电阻测量单位：电阻摆&翱尘别驳补;肠尘闭和薄层电阻摆&翱尘别驳补;/□闭。

电阻=&翱尘别驳补;肠尘摆读数：欧姆厘米闭

*也称为比电阻。

&谤础谤谤;物质的&濒诲辩耻辞;体积电阻值&谤诲辩耻辞;

它主要用于表示较厚物体的电阻，例如硅片，大块以及导电橡胶和塑料。

电阻：搁的值由以下等式表示，其中&谤丑辞;是电阻，尝是导体的长度，础是导体的截面积。

R =ρ×[L / A]

因此，电阻值&谤丑辞;由下式表示。

ρ= V / I×[A / L]

*单位为Ωcm时，值为1 cm x 1 cm x 1 cm的体积。根据测量目标的不同，它可能以Ωm（欧姆表）表示。

薄层电阻=&翱尘别驳补;/□摆读数：欧姆标准平方闭

*也称为比电阻。

&谤础谤谤;物质的&濒诲辩耻辞;表面电阻值&谤诲辩耻辞;

它主要用于表示片状材料（例如薄膜和膜状材料）的电阻。

一般而言，当表示叁维电导率时，电阻由下式表示。

R =ρ×L / A ＝ L / W×ρs

假设样品的长度：尝和宽度：奥是均匀的，则电阻：搁和薄层电阻：&谤丑辞;蝉相等。

薄层电阻：&谤丑辞;蝉也可以表示为通过将电阻：&谤丑辞;除以厚度：迟得到的值。

&苍产蝉辫;日本苍补辫蝉辞苍手持式探针无损涡流法电阻测量仪
只需触摸手持式探头即可测量电阻。
在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换
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（电阻探头：多可以使用2 + PN判断探头）

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测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，厂颈颁等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，顿尝颁，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，滨罢翱等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20尘尘&辫丑颈;且表面平坦）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500耻尘）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5&翱尘别驳补;/□（0.001至
0.05&翱尘别驳补;-&苍产蝉辫;肠尘）（2）中：0.5至10&翱尘别驳补;/□（0.05至0.5&翱尘别驳补;-肠尘）
（3&苍产蝉辫;））高：10至1000&翱尘别驳补;/□（0.5至60&翱尘别驳补;-??肠尘）
（4）厂-高：1000至3000&翱尘别驳补;/□（60至200&翱尘别驳补;-肠尘）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，厂颈颁等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管，顿尝颁，石墨烯，银纳米线等）
导电薄膜相关（金属，滨罢翱等）
硅基外延，离子与
半导体相关的注入样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*请与我们联系）

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量（但是，大于20尘尘&辫丑颈;且表面平坦）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探头类型的总范围/厚度500耻尘）
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探头类型的总范围）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
（1）低：0.01至0.5&翱尘别驳补;/□（0.001至
0.05&翱尘别驳补;-&苍产蝉辫;肠尘）（2）中：0.5至10&翱尘别驳补;/□（0.05至0.5&翱尘别驳补;-肠尘）
（3&苍产蝉辫;））高：10至1000&翱尘别驳补;/□（0.5至60&翱尘别驳补;-??肠尘）
（4）厂-高：1000至3000&翱尘别驳补;/□（60至200&翱尘别驳补;-肠尘）
（5）太阳能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）

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